Fim Pwoteksyon EMI Polymè pou Faktori - Fim Pwoteksyon EMI ak Bon Pwoteksyon

Fim Pwoteksyon EMI Polymè Founisè Faktori - Fim Pwoteksyon EMI ak Bon Pwoteksyon - Imaj Anons Spesyal Lucky Innovative

Fim Pwoteksyon EMI Polymè pou Faktori - Fim Pwoteksyon EMI ak Bon Pwoteksyon - Lucky Innovative

Deskripsyon kout:

Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

Videyo ki gen rapò

Fidbak (2)

Nou bay bon pouvwa nan kalite siperyè ak pwogrè, machandiz, revni ak maketing entènèt ak operasyon pouPapye Presyon ki Chanje Koulè,Fim Capteur ki Endike Presyon Taktil,Fim Mezi PrescaleNou akeyi kliyan ki soti toupatou nan mond lan avèk chalè pou prèske tout kalite koperasyon avèk nou pou konstwi yon potansyèl avantaj mityèl. Nou konsakre tèt nou ak tout kè nou pou bay konsomatè yo pi bon konpayi an.

Fim Pwoteksyon EMI Polymè pou Faktori - Fim Pwoteksyon EMI ak Bon Pwoteksyon - Detay Inovatif Lucky:

Deskripsyon pwodwi

Fim pwoteksyon EMI a sitou itilize nan FPC ki konpoze de modil pou telefòn mobil, PC, aparèy medikal, kamera dijital, enstriman otomobil, elatriye.

Disponibilite pwodwi

LKES-800
LKES-1000
LEKS-6000

Karakteristik pwodwi yo

(1) Bon karakteristik pwosesis
(2) Bon konduktivite elektrik
(3) Bon pwopriyete pwoteksyon
(4) Bon rezistans chalè
(5) Zanmitay anviwònman an (san alojèn, satisfè egzijans Direktiv RoHS ak REACH, elatriye)

Estrikti pwodwi

Fim sèk

Karakteristik pwodwi yo

LKES -800

Atik	Done Tès	Estanda tès oswa metòd tès
Epesè (Anvan Laminasyon, μm)	16±10%	Estanda Antrepriz
Epesè (Apre Laminasyon, μm)	13±10%	Estanda Antrepriz
Rezistans tè (plake ak lò, φ 1.0mm, 1.0cm, Ω)		JIS C5016 1994-7.1
Fòs kale nan fim ranfòse (N/25mm)		Estanda Antrepriz
Reflow soudaj san plon (MAX 265 ℃)	Pa gen stratifikasyon; Pa gen kim	JIS C6471 1995-9.3
Soudi (288℃, 10s, 3 fwa)	Pa gen stratifikasyon; Pa gen kim	JIS C6471 1995-9.3
Pwopriyete Pwoteksyon (dB)	>50	GB/T 30142-2013
Rezistans Sifas (mΩ/□)		Metòd Kat Tèminal
Rezistan flanm dife	VTM-0	UL94
Enpresyon Karaktè	PASE	JIS K5600
Briyans (60°, Gs)		GB9754-88
Rezistans chimik (asid, alkali ak OSP)	PASE	JIS C6471 1995-9.2
Adèzyon ak ranfòsman (N/cm)	>4	IPC-TM-650 2.4.9

LKES-1000

Atik	Done Tès	Estanda tès oswa metòd tès
Epesè (Apre Laminasyon, μm)	14-18	Estanda Antrepriz
Pwopriyete Pwoteksyon (dB)	≥50	GB/T 30142-2013
Izolasyon Sifas	≥200	Estanda Antrepriz
Solidité adezif (tès santèn selil)	Pa gen selil ki tonbe	JIS C 6471 1995-8.1
Ti sèvyèt ki reziste alkòl	50 fwa pa gen domaj	Estanda Antrepriz
Rezistans grate	5 fwa pa gen flit metal	Estanda Antrepriz
Rezistans tè, (plakaj lò, φ 1.0mm, 1.0cm, Ω)	≤1.0	JIS C5016 1994-7.1
Reflow soudaj san plon (MAX 265 ℃)	Pa gen stratifikasyon; Pa gen kim	JIS C6471 1995-9.3
Soudi (288℃, 10s, 3 fwa)	Pa gen stratifikasyon; Pa gen kim	JIS C6471 1995-9.3
Enpresyon Karaktè	PASE	JIS K5600

LKES-6000

Atik	Done Tès	Estanda tès oswa metòd tès
Epesè (Apre Laminasyon, μm)	13±10%	Estanda Antrepriz
Pwopriyete Pwoteksyon (dB)	≥50	GB/T 30142-2013
Rezistans tè, (plake lò, φ 1.0mm, 1.0cm, Ω)	≤0.5	JIS C5016 1994-7.1
Rezistans tè, (plake lò, φ 1.0mm, 3.0cm, Ω)	0.20	JIS C5016 1994-7.1
Fòs lage (N/cm)		Estanda Antrepriz
Izolasyon sifas (mΩ)	≥200	Estanda Antrepriz
Solidité adezif (tès santèn selil)	Pa gen selil ki tonbe	JIS C 6471 1995-8.1
Reflow soudaj san plon (MAX 265 ℃)	Pa gen stratifikasyon; Pa gen kim	JIS C6471 1995-9.3
Soudi (288℃, 10s, 3 fwa)	Pa gen stratifikasyon; Pa gen kim	JIS C6471 1995-9.3
Rezistan flanm dife	VTM-0	UL94
Enpresyon Karaktè	PASE	JIS K5600

Kondisyon Pwosesis Rekòmande

Metòd laminasyon	Kondisyon laminasyon			Kondisyon solidifikasyon
Metòd laminasyon	Tanperati (℃)	Presyon (kg)	Tan (s)	Tanperati (℃)	Tan (minit)
Laminasyon rapid	LKES800/6000:180±10LKES1000:175±5	100-120	80-120	160±10	30-60

Remak: Kliyan an ka ajiste teknoloji a selon kondisyon reyèl la lè y ap trete l.
(1) Retire kouch pwoteksyon an anvan, epi kole l sou FPC a. Ou ka itilize yon tab chofaj 80℃ pou kole l davans.
(2) Plastifye dapre pwosesis ki anwo a, retire, epi retire fim sipò a apre li fin refwadi.
(3) Pwosesis solidifikasyon.

Anbalaj

(1) Espesifikasyon estanda pwodwi a: 250mm × 100m.
(2) Apre yo fin retire elektrisite estatik la, yo pake pwodwi yo nan papye aliminyòm epi yo mete yo nan yon seche rad ladan l.
(3) Deyò a chaje nan katon papye epi byen fikse pou asire sekirite pwodwi yo pandan transpò ak manyen, epi evite domaj.

Depo ak Atansyon

(1) Kondisyon Depo Rekòmande
Tanperati: (0-10)℃; Imidite: anba 70% RH
(2) Atansyon
(2.1) Tanpri pa ouvri anbalaj ekstèn lan epi kite fim pwoteksyon an balanse nan tanperati chanm pandan 6 èdtan anvan ou itilize li pou diminye efè jèl ak lawouze sou fim pwoteksyon an.
(2.2) Li sijere pou itilize li pi vit posib apre yo fin retire li nan depo frèt la, si kalite a chanje anba tanperati nòmal pou yon bon bout tan.
(2.3) Pwodui sa a pa reziste ak ajan sele faz dlo ak flux, si ou gen teknoloji pwosesis ki anwo a, tanpri teste epi konfime anvan.
(2.4) Sijere laminasyon rapid, laminasyon vakyòm bezwen teste epi konfime.
(2.5) Peryòd garanti kalite a anba kondisyon ki anwo yo se 6 mwa.

Foto detay pwodwi:

Gid pwodwi ki gen rapò:

Nou konte sou panse estratejik, modènizasyon konstan nan tout segman yo, avansman teknolojik epi natyèlman sou anplwaye nou yo ki patisipe dirèkteman nan siksè nou pou Factory Supply Polymer Emi Shielding Films - EMI Shielding Film with Good Shielding – Lucky Innovative, Pwodwi a pral apwovizyone nan tout mond lan, tankou: Otrich, Kore di Sid, Namibi, Nou te genyen anpil rekonesans nan mitan kliyan atravè lemond. Yo fè nou konfyans epi yo toujou bay lòd repete. Anplis de sa, mansyone anba a se kèk nan faktè prensipal yo ki te jwe yon wòl enpòtan nan kwasans fòmidab nou an nan domèn sa a.

Kasèt pwoteksyon Emi may kwiv