Fim Pwoteksyon Mayetik an gwo Chinwa - Fim Pwoteksyon EMI ak Bon Pwoteksyon - Lucky Innovative
Fim Pwoteksyon Mayetik an gwo Chinwa - Fim Pwoteksyon EMI ak Bon Pwoteksyon - Lucky Innovative
Fim Pwoteksyon Mayetik Chinwa an gwo - Fim Pwoteksyon EMI ak Bon Pwoteksyon - Detay Inovatif Lucky:
Deskripsyon pwodwi
Fim pwoteksyon EMI a sitou itilize nan FPC ki konpoze de modil pou telefòn mobil, PC, aparèy medikal, kamera dijital, enstriman otomobil, elatriye.
Disponibilite pwodwi
LKES-800
LKES-1000
LEKS-6000
Karakteristik pwodwi yo
(1) Bon karakteristik pwosesis
(2) Bon konduktivite elektrik
(3) Bon pwopriyete pwoteksyon
(4) Bon rezistans chalè
(5) Zanmitay anviwònman an (san alojèn, satisfè egzijans Direktiv RoHS ak REACH, elatriye)
Estrikti pwodwi
Karakteristik pwodwi yo
LKES -800
| Atik | Done Tès | Estanda tès oswa metòd tès |
| Epesè (Anvan Laminasyon, μm) | 16±10% | Estanda Antrepriz |
| Epesè (Apre Laminasyon, μm) | 13±10% | Estanda Antrepriz |
| Rezistans tè (plake ak lò, φ 1.0mm, 1.0cm, Ω) | JIS C5016 1994-7.1 | |
| Fòs kale nan fim ranfòse (N/25mm) | Estanda Antrepriz | |
| Reflow soudaj san plon (MAX 265 ℃) | Pa gen stratifikasyon; Pa gen kim | JIS C6471 1995-9.3 |
| Soudi (288℃, 10s, 3 fwa) | Pa gen stratifikasyon; Pa gen kim | JIS C6471 1995-9.3 |
| Pwopriyete Pwoteksyon (dB) | >50 | GB/T 30142-2013 |
| Rezistans Sifas (mΩ/□) | Metòd Kat Tèminal | |
| Rezistan flanm dife | VTM-0 | UL94 |
| Enpresyon Karaktè | PASE | JIS K5600 |
| Briyans (60°, Gs) | GB9754-88 | |
| Rezistans chimik (asid, alkali ak OSP) | PASE | JIS C6471 1995-9.2 |
| Adèzyon ak ranfòsman (N/cm) | >4 | IPC-TM-650 2.4.9 |
LKES-1000
| Atik | Done Tès | Estanda tès oswa metòd tès |
| Epesè (Apre Laminasyon, μm) | 14-18 | Estanda Antrepriz |
| Pwopriyete Pwoteksyon (dB) | ≥50 | GB/T 30142-2013 |
| Izolasyon Sifas | ≥200 | Estanda Antrepriz |
| Solidité adezif (tès santèn selil) | Pa gen selil ki tonbe | JIS C 6471 1995-8.1 |
| Ti sèvyèt ki reziste alkòl | 50 fwa pa gen domaj | Estanda Antrepriz |
| Rezistans grate | 5 fwa pa gen flit metal | Estanda Antrepriz |
| Rezistans tè, (plakaj lò, φ 1.0mm, 1.0cm, Ω) | ≤1.0 | JIS C5016 1994-7.1 |
| Reflow soudaj san plon (MAX 265 ℃) | Pa gen stratifikasyon; Pa gen kim | JIS C6471 1995-9.3 |
| Soudi (288℃, 10s, 3 fwa) | Pa gen stratifikasyon; Pa gen kim | JIS C6471 1995-9.3 |
| Enpresyon Karaktè | PASE | JIS K5600 |
LKES-6000
| Atik | Done Tès | Estanda tès oswa metòd tès |
| Epesè (Apre Laminasyon, μm) | 13±10% | Estanda Antrepriz |
| Pwopriyete Pwoteksyon (dB) | ≥50 | GB/T 30142-2013 |
| Rezistans tè, (plake lò, φ 1.0mm, 1.0cm, Ω) | ≤0.5 | JIS C5016 1994-7.1 |
| Rezistans tè, (plake lò, φ 1.0mm, 3.0cm, Ω) | 0.20 | JIS C5016 1994-7.1 |
| Fòs lage (N/cm) | Estanda Antrepriz | |
| Izolasyon sifas (mΩ) | ≥200 | Estanda Antrepriz |
| Solidité adezif (tès santèn selil) | Pa gen selil ki tonbe | JIS C 6471 1995-8.1 |
| Reflow soudaj san plon (MAX 265 ℃) | Pa gen stratifikasyon; Pa gen kim | JIS C6471 1995-9.3 |
| Soudi (288℃, 10s, 3 fwa) | Pa gen stratifikasyon; Pa gen kim | JIS C6471 1995-9.3 |
| Rezistan flanm dife | VTM-0 | UL94 |
| Enpresyon Karaktè | PASE | JIS K5600 |
Kondisyon Pwosesis Rekòmande
| Metòd laminasyon | Kondisyon laminasyon | Kondisyon solidifikasyon | |||
| Tanperati (℃) | Presyon (kg) | Tan (s) | Tanperati (℃) | Tan (minit) | |
| Laminasyon rapid | LKES800/6000:180±10LKES1000:175±5 | 100-120 | 80-120 | 160±10 | 30-60 |
Remak: Kliyan an ka ajiste teknoloji a selon kondisyon reyèl la lè y ap trete l.
(1) Retire kouch pwoteksyon an anvan, epi kole l sou FPC a. Ou ka itilize yon tab chofaj 80℃ pou kole l davans.
(2) Plastifye dapre pwosesis ki anwo a, retire, epi retire fim sipò a apre li fin refwadi.
(3) Pwosesis solidifikasyon.
Anbalaj
(1) Espesifikasyon estanda pwodwi a: 250mm × 100m.
(2) Apre yo fin retire elektrisite estatik la, yo pake pwodwi yo nan papye aliminyòm epi yo mete yo nan yon seche rad ladan l.
(3) Deyò a chaje nan katon papye epi byen fikse pou asire sekirite pwodwi yo pandan transpò ak manyen, epi evite domaj.
Depo ak Atansyon
(1) Kondisyon Depo Rekòmande
Tanperati: (0-10)℃; Imidite: anba 70% RH
(2) Atansyon
(2.1) Tanpri pa ouvri anbalaj ekstèn lan epi kite fim pwoteksyon an balanse nan tanperati chanm pandan 6 èdtan anvan ou itilize li pou diminye efè jèl ak lawouze sou fim pwoteksyon an.
(2.2) Li sijere pou itilize li pi vit posib apre yo fin retire li nan depo frèt la, si kalite a chanje anba tanperati nòmal pou yon bon bout tan.
(2.3) Pwodui sa a pa reziste ak ajan sele faz dlo ak flux, si ou gen teknoloji pwosesis ki anwo a, tanpri teste epi konfime anvan.
(2.4) Sijere laminasyon rapid, laminasyon vakyòm bezwen teste epi konfime.
(2.5) Peryòd garanti kalite a anba kondisyon ki anwo yo se 6 mwa.
Foto detay pwodwi:
Gid pwodwi ki gen rapò:
Konsakre ak kòmandman strik sou bon jan kalite ak sipò atantif pou achtè yo, anplwaye ki gen eksperyans nou yo toujou disponib pou diskite sou bezwen ou yo epi pou asire w ke kliyan yo ap satisfè nèt ale pou Fim Pwoteksyon Manyetik Chinwa an gwo - Fim Pwoteksyon EMI ak Bon Pwoteksyon - Lucky Innovative, Pwodwi a pral founi nan tout mond lan, tankou: Bèljik, Izrayèl, Filipin, Nou adopte teknik ak jesyon sistèm kalite, ki baze sou "oryante kliyan, repitasyon an premye, benefis mityèl, devlope ak efò jwenti", akeyi zanmi pou kominike epi kolabore atravè lemond.
Pa Karen soti Iran - 2018.11.04 10:32 Atitid anplwaye sèvis kliyan an trè sensè e repons lan rapid e byen detaye, sa te trè itil pou kontra nou an, mèsi.
Pa Natalie soti Madrid - 2018.09.21 11:01 
